GE IC660HHM501N 卡件/模块

参数和规格

模块类型:谐波抑制器卡件/模块
适用变频器:GE Drive 660 系列
抑制谐波:5次谐波、7次谐波、11次谐波等
抑制效率:>95%
电源电压:24 VDC
功耗:5 W
工作温度:-20°C 至 60°C
防护等级:IP20
尺寸:120 mm x 25 mm x 10 mm
重量:0.1 kg
系列:IC660

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描述

GE IC660HHM501N 卡件/模块:参数、规格、尺寸、重量、系列、特征和作用
概述

GE IC660HHM501N 是一款用于 GE Drive 660 系列变频器的谐波抑制器卡件/模块。它可以降低变频器产生的谐波,从而提高电网的质量,并保护其他设备免受谐波干扰。

参数和规格

模块类型:谐波抑制器卡件/模块
适用变频器:GE Drive 660 系列
抑制谐波:5次谐波、7次谐波、11次谐波等
抑制效率:>95%
电源电压:24 VDC
功耗:5 W
工作温度:-20°C 至 60°C
防护等级:IP20
尺寸:120 mm x 25 mm x 10 mm
重量:0.1 kg
系列:IC660
特征:可有效降低变频器产生的谐波
提高电网的质量
保护其他设备免受谐波干扰
易于安装和配置
功能

GE IC660HHM501N 模块可用于以下应用:

减少变频器对电网的谐波污染
提高电网的稳定性和可靠性
保护其他设备免受谐波干扰,例如电机、变压器、电缆等
延长设备的使用寿命

GE IC660HHM501N 卡件/模块

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GE IC660HHM501N 卡件/模块

GE IC660HHM501N 卡件/模块